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| InSb薄膜热导率温度特性及传热机理 | |
| 作者姓名： | 黄正兴 孙豪 李奇松 管相宇 |
| 作者单位： | 大连理工大学电子信息与电气工程学部;辽宁省集成电路技术重点实验室;中国科学院上海光学精密机械研究所高密度光存储实验室 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61131004)；辽宁省自然科学基金资助项目(201602153). |
| 摘 要： | InSb薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红外探测和红外热成像技术以及超分辨掩膜层技术中.热导率及其温度特性是影响薄膜实际应用的关键因素.采用瞬态热反射方法测试了厚度为70~200nm的InSb薄膜在非晶态和晶态下热导率,并探讨了其中的传热机理.对于晶态InSb薄膜,热导率为(0.55±0.055)W/(m·K),并且随温度的变化不明显;而非晶态InSb薄膜在温度450K以下时热导率为(0.37±0.037)W/(m·K).当温度在450K以上时,由于薄膜从非晶态转化为晶态,其热导率经历了一个突然的升高过程.无论是晶态还是非晶态薄膜样品,热导率与薄膜厚度都没有明显依赖关系.研究结果可以为InSb薄膜的实际应用提供有益的参考. |
| 关 键 词： | InSb薄膜；晶态和非晶态；热导率；温度特性 |
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