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| 广东省第三代半导体创新发展刍议 | |
| 引用本文： | 赵维,韦文求,贺龙飞.广东省第三代半导体创新发展刍议[J].广东科技,2022,31(1):44-46. |
| 作者姓名： | 赵维 韦文求 贺龙飞 |
| 作者单位： | 广东省科学院半导体研究所;广东省生产力促进中心 |
| 摘 要： | 第三代半导体是指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体(禁带宽度大于2 eV),近年来扩展至氮化铝(AlN)、金刚石、氧化镓(Ga2O3)、氮化硼(BN)等超宽禁带半导体.相比于以硅(Si)、锗(Ge)为代表的第一代半导体和以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的第二代半导体,第三代半导体具有更... |
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