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| 在冷轧的Ni基底上沉积CeO2缓冲层 | |
| 作者姓名： | 王荣平 熊旭明 郭向欣 周岳亮 吕惠宾 潘少华 陈正豪 杨国桢 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所!中国科学院凝聚态物理中心，北京100080，中国科学院物理研究所!中国科学院凝聚态物理中心，北京100080，中国科学院物理研究所!中国科学院凝聚态物理中心，北京100080，中国科学院物理研究所!中国科学院凝聚态物理中心，北京100080，中国科学院物理研究所!中国科 |
| 摘 要： | 在有和无离子束辅助两种情形下，在冷轧Ｎｉ基底上制备了ＣｅＯ２薄膜，结果表明，无离子束辅助沉积时，薄膜表现出（１１１）取向，在离子能量为２４０ｅＶ、束流为２００μＡ／ｃｍ＾２、基片温度为３６０℃的条件下沉积的ＣｅＯ２薄膜呈现出良好的（００２）外延取向和平面内织构。 |
| 关 键 词： | 缓冲层 脉冲激光沉积 氧化铈 超导薄膜 |
| 收稿时间： | 1997-11-06 |
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