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Gd/FeMn磁性薄膜交换偏置特胜研究
引用本文:毛璐俊,曾文理,焦志伟.Gd/FeMn磁性薄膜交换偏置特胜研究[J].科技信息,2012(34):2-3.
作者姓名:毛璐俊  曾文理  焦志伟
作者单位:中国计量学院物理系
基金项目:浙江省大学生科技创新活动计划项目(No.2011R409014);国家自然科学基金(No.51271172);国家级大学生创新创业训练计划项目(No.201210356006)资助课题
摘    要:本文采用直流磁控溅射方法制备Ta/Gd/FeMn/Ta多层膜,研究不同温度下样品的磁滞回线和磁性。研究表明。Ta/Gd/FeMn/Ta多层膜的交换偏置场随测量温度的升高由负值逐渐变为正值,矫顽力随测量温度的升高而减小,当温度接近或超过Gd的居里温度时矫顽力和交换偏置场均消失。出现上述现象的原因是铁磁层Gd的易磁化轴随温度的变化而变化所致。

关 键 词:铁磁  反铁磁薄膜  交换耦合界面效应  交换偏置
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