Gd/FeMn磁性薄膜交换偏置特胜研究 |
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引用本文: | 毛璐俊,曾文理,焦志伟.Gd/FeMn磁性薄膜交换偏置特胜研究[J].科技信息,2012(34):2-3. |
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作者姓名: | 毛璐俊 曾文理 焦志伟 |
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作者单位: | 中国计量学院物理系 |
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基金项目: | 浙江省大学生科技创新活动计划项目(No.2011R409014);国家自然科学基金(No.51271172);国家级大学生创新创业训练计划项目(No.201210356006)资助课题 |
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摘 要: | 本文采用直流磁控溅射方法制备Ta/Gd/FeMn/Ta多层膜,研究不同温度下样品的磁滞回线和磁性。研究表明。Ta/Gd/FeMn/Ta多层膜的交换偏置场随测量温度的升高由负值逐渐变为正值,矫顽力随测量温度的升高而减小,当温度接近或超过Gd的居里温度时矫顽力和交换偏置场均消失。出现上述现象的原因是铁磁层Gd的易磁化轴随温度的变化而变化所致。
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关 键 词: | 铁磁 反铁磁薄膜 交换耦合界面效应 交换偏置 |
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