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| RTA工艺对HfO_2/Si界面电学特性的影响 | |
| 引用本文： | 池晓伟,崔海洋. RTA工艺对HfO_2/Si界面电学特性的影响[J]. 河南科技, 2019, 0(13) |
| 作者姓名： | 池晓伟 崔海洋 |
| 作者单位： | 国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心 |
| 摘 要： | 为进一步优化HfO_2/Si界面的电学性能,本文采用RTA工艺处理HfO_2/Si样品,并分析了相应MOS器件的C-V特性。实验结果显示,HfO_2/Si界面存在大量的氧化物陷阱电荷,而RTA工艺可以有效修复氧化物陷阱,有效改善HfO_2/Si结构MOS器件的电学特性。 |
| 关 键 词： | HfO2/Si界面 RTA工艺 氧化物陷阱电荷 |
Electrical Influence of RTA Process on HfO_2/Si interface |
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