| H2对Al-Si-GNP共掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 丁春华,汪国庆,段光申,姜宏.H2对Al-Si-GNP共掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响[J].海南大学学报(自然科学版),2019,37(1). |
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| 作者姓名： | 丁春华 汪国庆 段光申 姜宏 |
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| 作者单位： | 海南大学,海南大学南海海洋资源利用国家重点实验室,海南省特种玻璃重点实验室,海南海口570228;广东工业大学轻工化工学院,广东广州510006;海南大学,海南大学南海海洋资源利用国家重点实验室,海南省特种玻璃重点实验室,海南海口570228;河北中玻新材料有限公司,河北沙河,054100 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 以玻璃为基底,采用射频磁控溅射法制备了Al_2O_3、SiO_2、氧化石墨烯(GNP)共掺杂氧化锌(GASZO)透明导电薄膜.考察了在Ar(流量不变)中H_2流量对薄膜制备的影响.采用X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)等对薄膜形貌、结构进行了表征.结果表明薄膜晶相为纤锌矿结构、呈c轴择优取向; Scherrer公式计算发现增加H_2量,可以减小薄膜的平均晶粒尺寸; H_2流量对薄膜内应力影响较大.此外,还采用四探针测试仪、紫外—可见分光光度计(UV-Vis)等对薄膜的光电性能进行了表征.当Ar流量为70 sccm、H_2占溅射气氛1. 00%时,薄膜具有最低电阻率7. 746×10~(-4)Ω·cm;适量的H_2流量可以提高玻璃在近紫外区的透过率;镀膜后样品在可见光区的平均透过率为90%左右.
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| 关 键 词： | 射频磁控溅射 共掺杂 ZnO薄膜 光电性能 |
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