| Cl2/Ar/BCl3感应耦合等离子体GaN/Al0.28Ga0.72N的非选择性刻蚀 |
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| 引用本文： | 韩彦军,薛松,吴桐,吴震,郭文平,罗毅,郝智彪,孙长征.Cl2/Ar/BCl3感应耦合等离子体GaN/Al0.28Ga0.72N的非选择性刻蚀[J].中国科学(E辑),2004,34(3):345-352. |
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| 作者姓名： | 韩彦军 薛松 吴桐 吴震 郭文平 罗毅 郝智彪 孙长征 |
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| 作者单位： | 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(批准号:TG2000036601)、国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312190,2002AA31119Z)和国自然科学基金(批准号:69896260-01)资助项目 |
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| 摘 要： | 利用Cl2/Ar/BCl3感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对GaN与Al0.28Ga0.72N材料之间的非选择性刻蚀和刻蚀以后GaN/Al0.28Ga0.72N异质结的表面物理特性进行了研究. 实验表明, 优化等离子体中BCl3的含量(20%~60%), 提高ICP功率和直流偏压, 降低反应室压强有利于获得非选择性刻蚀. 而GaN/Al0.28Ga0.72N异质结刻蚀后的表面形貌与等离子体中的化学组分、反应室压强有密切的关系. 在Cl2/Ar(4︰1)中加入20% BCl3可以在较高的刻蚀速率条件下获得GaN和Al0.28Ga0.72N之间的非选择性刻蚀, 并将GaN/Al0.28Ga0.72N异质结刻蚀后的表面均方根粗糙度由10.622 nm降低至0.495 nm, 优于未刻蚀的GaN/Al0.28Ga0.72N异质结的表面. AES分析表明, 在刻蚀过程中从AlGaN的表面有效除去氧对获得非选择性刻蚀和光滑的刻蚀表面是至关重要的.
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| 关 键 词： | GaN ICP Cl2/Ar/BCl3 非选择性刻蚀 AlGaN |
| 收稿时间： | 2003-06-04 |
| 修稿时间： | 2003-12-08 |
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