| 铝诱导晶化非晶硅薄膜研究 |
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| 引用本文： | 刘伟,高斐,方晓玲,王建军,张佳雯,晏春愉.铝诱导晶化非晶硅薄膜研究[J].陕西师范大学学报,2007,35(4):33-36. |
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| 作者姓名： | 刘伟 高斐 方晓玲 王建军 张佳雯 晏春愉 |
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| 作者单位： | 陕西师范大学物理学与信息技术学院,陕西西安710062 |
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| 基金项目： | 教育部留学回国人员科研启动基金;陕西师范大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 应用晶化非晶硅（a—Si）薄膜铝诱导方法，采用X射线衍射（X-ray diffraction，XRD）、光学显微镜（Optical Microscopy，OM）和原子力显微镜（Atomic Force Microscopy，AFM）等测试手段，研究了退火条件对样品晶化的影响．结果表明，样品在300℃下退火后仍为非晶态；退火温度为400℃时，样品开始晶化．随着退火时间的增加，薄膜晶化程度越来越高，晶粒越来越大，同时薄膜表面粗糙度增加．
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| 关 键 词： | 铝诱导晶化 非晶硅薄膜 晶化率 退火时间 |
| 文章编号： | 1672-4291（2007）04-0033-04 |
| 收稿时间： | 2007-05-05 |
| 修稿时间： | 2007年5月5日 |
Study on aluminum-induced crystallization of amorphous silicon thin film |
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| LIU Wei,GAO Fei,FANG Xiao-ling,WANG Jian-jun,ZHANG Jia-wen,YAN Chun-yu.Study on aluminum-induced crystallization of amorphous silicon thin film[J].Journal of Shaanxi Normal University: Nat Sci Ed,2007,35(4):33-36. |
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| Authors: | LIU Wei GAO Fei FANG Xiao-ling WANG Jian-jun ZHANG Jia-wen YAN Chun-yu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | aluminum-induced crystallization amorphous silicon thin film crystalline volume fraction annealing time |
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