| 高特征温度半导体激光器材料选取与结构设计 |
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| 引用本文： | 王春武,刘春玲,李洪兰.高特征温度半导体激光器材料选取与结构设计[J].松辽学刊,2005,26(4):17-18. |
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| 作者姓名： | 王春武 刘春玲 李洪兰 |
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| 作者单位： | [1]吉林师范大学信息技术学院,吉林四平136000 [2]长春理工大学高功率半导体激光器重点实验室,吉林长春130022 |
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| 摘 要： | 大功率半导体激光器，有一个很重要的问题就是散热问题．为了制作出高质量的半导体激光器，我们必须做好激光器材料选取与结构设计。本文综合考虑半导体激光器材料与特征温度影响因素的关系，择优选取AlInGaAs四元系统作为有源区材料，从而设计出AlInGaAs／AlGaAs,／GaAs应变量子阱激光器，20～40℃时T0值可达到200K，最低阈值电流密度为126A／cm^2。
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| 关 键 词： | 半导体激光器 特征温度 应变量子阱 |
| 文章编号： | 1000-1840-（2005）04-0017-02 |
| 收稿时间： | 2005-09-16 |
| 修稿时间： | 2005年9月16日 |
The Materials Selection and Structure Design of Semiconductor Lasers with high Characteristic Temperature |
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| WANG Chun-wu, LIU Chun-ling, LI Hong-lan.The Materials Selection and Structure Design of Semiconductor Lasers with high Characteristic Temperature[J].Songliao Journal (Natural Science Edition),2005,26(4):17-18. |
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| Authors: | WANG Chun-wu LIU Chun-ling LI Hong-lan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor lasers characteristic temperature strained quantum well |
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