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SiC冶炼炉温度场的有限元分析及其ANSYS模拟研究
作者姓名:
王晓刚 刘永胜 等
摘 要:
采用有限元分析方法对Acheson炉内温度场进行研究,进而采用ANSYS数值模拟软件对冶炼炉内温度分布进行模拟,得到了冶炼炉内温度分布的模拟图,分析了炉内的温度分布规律及其对SiC的生成和产率的影响,并提出了扩大SiC生成温度区域的措施。
关 键 词:
SiC 冶炼炉 有限元分析 ANSYS模拟 温度场 温度分布 碳化硅 生成温度区域
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