首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

SiC冶炼炉温度场的有限元分析及其ANSYS模拟研究
作者姓名:王晓刚 刘永胜 等
摘    要:
采用有限元分析方法对Acheson炉内温度场进行研究,进而采用ANSYS数值模拟软件对冶炼炉内温度分布进行模拟,得到了冶炼炉内温度分布的模拟图,分析了炉内的温度分布规律及其对SiC的生成和产率的影响,并提出了扩大SiC生成温度区域的措施。

关 键 词:SiC 冶炼炉 有限元分析 ANSYS模拟 温度场 温度分布 碳化硅 生成温度区域
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号