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CMOS工艺片上传输线研究
引用本文:陈勖,王志功,李智群.CMOS工艺片上传输线研究[J].东南大学学报(自然科学版),2006,36(6):892-896.
作者姓名:陈勖  王志功  李智群
作者单位:东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096
摘    要:对深亚微米硅基CMOS工艺集成电路中常用的微带线和共面波导2种传输线结构进行了研究.从理论上分析了传输线分布参数和损耗,利用0.13μm CMOS工艺制作了特征阻抗分别为50和70Ω的微带线和共面波导元件库,在0.1~30 GHz频率范围内利用网络分析仪和SOLT测试技术进行测试.利用分布参数电路模型和测试得到的S参数提取出了特征阻抗、衰减常数、品质因数等传输线基本参数.研究结果为设计者选择和设计高性能传输线提供出可借鉴的实用性模型.

关 键 词:CMOS工艺  微带线  共面波导  分布参数模型
文章编号:1001-0505(2006)06-0892-05
收稿时间:04 24 2006 12:00AM
修稿时间:2006-04-24

Design of on-chip transmission line in CMOS process
Chen Xu,Wang Zhigong,Li Zhiqun.Design of on-chip transmission line in CMOS process[J].Journal of Southeast University(Natural Science Edition),2006,36(6):892-896.
Authors:Chen Xu  Wang Zhigong  Li Zhiqun
Abstract:
Keywords:CMOS process  micro-strip  coplanar waveguide  distributed model
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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