| 硅中离子注入层的卤钨灯辐照快速退火研究 |
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| 引用本文： | 范永平,罗晋生,邹望杰. 硅中离子注入层的卤钨灯辐照快速退火研究[J]. 西安交通大学学报, 1987, 0(3) |
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| 作者姓名： | 范永平 罗晋生 邹望杰 |
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| 作者单位： | 西安交通大学电子工程系(范永平，罗晋生)，西安交通大学航天部六九一厂(邹望杰) |
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| 摘 要： | ![]()
本文研究了硅中离子注入层的卤钨灯辐照快速退火,对注B 和注P 样品分别测量了经1100℃、15秒和1050℃、12秒退火后注入层的载流子浓度分布,并与950℃、30分钟常规热退火样品作了比较;结果表明,卤钨灯辐照快速退火具有电激活率高、注入杂质再分布小及易于推广使用等优点.对于100keV、1×10~(15)cm~(-2)P 注入样品,经1050、10秒卤钨灯辐照退火后,表面薄层电阻为74.8Ω/□;对通过920(?)SiO_2膜,25keV、1×10~(15)cm~(-2)B 注入样品,经1100℃、15秒卤钨灯辐照快速退火后表面薄层电阻为238.0Ω/□;而经过950℃、30分钟常规热退火后,以上两种样品的表面薄层电阻分别为72.0Ω/□和245.8Ω/□.采用这种退火方法制作出了结深为0.10μm 的近突变P~ N 结,并测量了结深与退火时间的关系.
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| 关 键 词： | 离子注入 退火 |
RAPID ISOTHERMAL ANNEALING USING HALOGEN LAMPS |
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| Fan Yongping Luo Jinsheng Zhou Wangjie. RAPID ISOTHERMAL ANNEALING USING HALOGEN LAMPS[J]. Journal of Xi'an Jiaotong University, 1987, 0(3) |
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| Authors: | Fan Yongping Luo Jinsheng Zhou Wangjie |
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| Affiliation: | Department of Electronic Engineering |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | ion implantation annealing |
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