| 硅基超晶格Ⅵ(A)/Si6/SiO2/Si6/Ⅵ(A)的电子结构 |
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| 引用本文： | 陈捷,黄美纯. 硅基超晶格Ⅵ(A)/Si6/SiO2/Si6/Ⅵ(A)的电子结构[J]. 厦门大学学报(自然科学版), 2007, 46(2): 175-178 |
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| 作者姓名： | 陈捷 黄美纯 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系,福建,厦门,361005 |
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| 摘 要： | 硅的有效光发射是硅基光电器件研究的一个关键问题,因此一直受到广泛的关注.本文采用第一性原理对新的硅基材料Ⅵ(A)/Sim/SiO2/Sim/Ⅵ(A)(m=6,Ⅵ(A)=O,Se)的能带结构、态密度和电荷密度等进行了计算研究.通过改变掺入Ⅵ(A)族原子氧和硒的对比,分析了SiO2层、不同的Ⅵ(A)族原子以及它们与最近邻Si原子的相互作用对硅基材料电子性质的影响.研究表明,在局域密度近似(LDA)下,O/Si6/SiO2/Si6/O结构在X点存在准直接带隙的特征,而Se/Si6/SiO2/Si6/Se在Γ点存在很小的直接带隙.
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| 关 键 词： | 超晶格 硅基材料 能带结构 |
| 文章编号： | 0438-0479(2007)02-0175-04 |
| 修稿时间： | 2006-07-07 |
Electronic Structure of Si-based Superlattice Ⅵ(A)/Si6/SiO2/Si6/Ⅵ(A) |
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| CHEN Jie,HUANG Mei-chun. Electronic Structure of Si-based Superlattice Ⅵ(A)/Si6/SiO2/Si6/Ⅵ(A)[J]. Journal of Xiamen University(Natural Science), 2007, 46(2): 175-178 |
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| Authors: | CHEN Jie HUANG Mei-chun |
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| Affiliation: | Department of Physies,Xiamen University,Xiamen 361005,China |
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| Keywords: | superlattice Si-based material electronic band structures |
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