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射频微机电并联电容式开关的参数性能分析
引用本文:甄可龙,吕善伟,张岩,黄广君.射频微机电并联电容式开关的参数性能分析[J].河南科技大学学报(自然科学版),2011,32(3).
作者姓名:甄可龙  吕善伟  张岩  黄广君
作者单位:1. 北京航空航天大学电子信息工程学院,北京,100191
2. 河南科技大学电子信息工程学院,河南洛阳,471003
基金项目:国家“863”计划基金项目(2008AA12A216); 国家自然科学基金项目(60901001)
摘    要:射频微电子机械系统RF MEMS开关的高隔离度与低插入损耗特性,同开关自身的结构参数密切相关。为了得到更好的开关性能,在设计过程中有必要对射频MEMS开关的相关参数进行优化。本文用ADS和HFSS仿真设计软件,对射频MEMS并联电容式开关的微波特性进行了分析和仿真,研究了MEMS开关的等效电路参数和结构参数的变化对RF MEMS开关微波特性的影响。仿真结果表明:等效电容参数和MEMS开关桥宽度是影响开关性能的关键参数,当开关的等效电容参数增加20 pF,或MEMS桥的宽度增加40μm时,RF MEMS开关的插入损耗则可能增加10 dB以上。

关 键 词:RF  MEMS  开关  插损  隔离度  共面波导  

Analysis of Shunt RF MEMS Capacitive Switches Parameters
ZHEN Ke-Long,Lü Shan-Wei,ZHANG Yan,HUANG Guang-Jun.Analysis of Shunt RF MEMS Capacitive Switches Parameters[J].Journal of Henan University of Science & Technology:Natural Science,2011,32(3).
Authors:ZHEN Ke-Long  Lü Shan-Wei  ZHANG Yan  HUANG Guang-Jun
Institution:ZHEN Ke-Long1,Lü Shan-Wei1,ZHANG Yan1,HUANG Guang-Jun2 (1.School of Electronics & Information Engineering,Beijing University of Aeronautics & Astronautics,Beijing 100191,China,2.Electronic Information Engineering School,Henan University of Science & Technology,Luoyang 471003,China)
Abstract:For the purpose of obtaining high isolation and low insertion,it is important to optimize the structure parameters of the RF MEMS switch in design process,because the microwave characteristic of the switch significantly depends on the structural parameters.In this paper,the microwave characteristic of shunt RF MEMS capacitive switches was studied by ADS and HFSS software.The effect of the equivalent circuit model parameters and the structure parameters of the switch's structure model on the microwave charac...
Keywords:RF MEMS  Switch  Insertion loss  Isolation  CPW  
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