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| C-Si/GD μC-Si:H异质结的一些性质 | |
| 引用本文： | 曹宝成,戴国才,罗升旭.C-Si/GD μC-Si:H异质结的一些性质[J].山东大学学报(理学版),1988(2). |
| 作者姓名： | 曹宝成 戴国才 罗升旭 |
| 作者单位： | 山东大学物理系，山东大学物理系，山东大学物理系 |
| 摘 要： | 在单晶硅衬底上淀积掺硼(或磷)的μC—Si:H 薄膜可制成 C—Si/GDμC—Si:H 异质结。掺杂μC—Si:H 薄膜是由辉光放电制备,它的电导率约 1000S/m 光学带隙是1.6eV,淀积温度是280℃。该结具有好的 I—V 特性曲线,可以用整流扩散理论解释它。反向击穿电压取决于晶态衬底的电阻率。退火实验指出,在650℃以下,该结的 I—V 特性是稳定的。讨论了异质结的有关性质。 |
| 关 键 词： | 微晶硅 μC-Si:H异质结 异质结特性 |
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