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利用Tsuprem4和Medici对200伏VDMOS进行虚拟制造
引用本文:孙嘉兴,宁润涛,胡子阳,张俊松,赵庆哲.利用Tsuprem4和Medici对200伏VDMOS进行虚拟制造[J].辽宁大学学报(自然科学版),2006,33(1):42-45.
作者姓名:孙嘉兴  宁润涛  胡子阳  张俊松  赵庆哲
作者单位:辽宁大学,物理系,辽宁,沈阳,110036
摘    要:通过将已知工艺参数与工艺模拟软件Tsuprem4结合起来,将模拟结果直接导入器件模拟软件Medici,对击穿电压及阈值电压,终端保护环进行了模拟计算,获得了具体的设计参数,并对利用这两个软件进行虚拟制造的过程中需要注意的问题进行了阐述.

关 键 词:虚拟制造  工艺参数  终端保护环
文章编号:1000-5846(2006)01-0042-04
收稿时间:2005-08-30
修稿时间:2005-08-30

Virtual Fabrication of 200 Volt VDMOS by Tsuprem4 and Medici
SUN Jia-xing,NING Run-tao,HU Zi-yang,ZHANG Jun-song,Zhao Qing-zhe.Virtual Fabrication of 200 Volt VDMOS by Tsuprem4 and Medici[J].Journal of Liaoning University(Natural Sciences Edition),2006,33(1):42-45.
Authors:SUN Jia-xing  NING Run-tao  HU Zi-yang  ZHANG Jun-song  Zhao Qing-zhe
Institution:Physical Department, Liaoning University, Shenyang 110036
Abstract:By combining techinal parameters with techinal simulation software Tsuprem4, we put simulation result into medici, which at last obtain the calculation of breakdown voltage, threshold voltage and teminatin guard ring. And the problems of doing virtual fabrication by the two programs are discussed.
Keywords:virtual fabrication  technical parameters  termination guard ring  
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