|
|||||
|
|
| MgB_2的高压高温合成及其超导电性 | |
| 引用本文： | 朱嘉林,李绍春,禹日成,李凤英,刘振兴,靳常青.MgB_2的高压高温合成及其超导电性[J].科学通报,2001,46(15). |
| 作者姓名： | 朱嘉林 李绍春 禹日成 李凤英 刘振兴 靳常青 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所极端条件实验室中国科学院凝聚态物理中心 中国科学院 北京高压科学研究中心 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金委员会“杰出青年基金”（批准号：59725105），中国科学院“百人计划”（1999）资助项目． |
| 摘 要： | 在高压（３．０ ＧＰａ）和高温（９００℃）条件下，制备出单相ＭｇＢ２样品．样品的粉末Ｘ射线衍射实验和Ｒｉｅｔｖｅｌｄ精修结构分析表明，所制样品具有ＡｌＢ２型六方结构，空间群为Ｐ６／ｍｍｍ，ａ＝３．０８６１（５）Ａ，ｃ＝３．５２２２（８）Ａ．测量结果表明样品的超导临界转变温度（Ｔｃ）为 ３９ Ｋ． |
| 关 键 词： | MgB2 超导电性 磁化强度 电阻 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |