超导量子比特中铝超导隧道结的性能 |
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作者姓名: | 沈丹丹 朱冉 许伟伟 常俊杰 吉争鸣 孙国柱 曹春海 陈健 |
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作者单位: | 南京大学电子科学与工程学院超导电子学研究所; |
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基金项目: | 国家重点基础研究发展计划(2011CBA00107,2009CB929602); 国家自然科学基金(10874074,61027008); 教育部博士基金(200802840031)资助项目 |
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摘 要: | 超导隧道结约瑟夫森结是超导量子比特的基本元件.用双层光刻胶构成悬空掩模,用电子束斜蒸发的方法制备Al/Al2O3/Al隧道结,用一定的氧气气压氧化铝膜作为势垒层.势垒层质量直接影响铝超导隧道结的各项电学参数.深入研究了铝超导隧道结的超导临界电流密度Jc和面积归一化电阻Rc(正常态电阻RN与结面积的乘积)与势垒层生长条件的关系,通过改变势垒层生长的氧分压与氧化时间来控制铝超导隧道结的Jc和Rc,以使此工艺所制备的铝隧道结漏电流小,结参数易于控制,满足制备超导量子比特的要求.
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关 键 词: | Al/Al2O3/Al超导 隧道结 电子束蒸发 超导量子比特 |
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