首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

电子束在胶层及衬底中散射轨迹的MonteCarlo模拟并从背散射系数看LB抗蚀层优越性
引用本文:鲁武,顾宁,陆祖宏,韦钰.电子束在胶层及衬底中散射轨迹的MonteCarlo模拟并从背散射系数看LB抗蚀层优越性[J].应用科学学报,1995(1).
作者姓名:鲁武  顾宁  陆祖宏  韦钰
作者单位:东南大学吴健雄实验室
摘    要:用MonteCarlo方法研究了电子束曝光中电子与胶层及衬底中原子相互作用情况,提出了一个高能电子在多层介质间散射的“折射”模型,模拟了不同条件下在硅衬底或覆铬硅片上用Langmuir-Blodgett(LB)技术和旋涂法制备的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)抗蚀层及衬底中电子的散射轨迹,并计算了背散射系数。结果证明:在相同的电子束能下,电子在LB抗蚀层中存在较小的背散射系数,并且采用较低或较高的能量曝光,均可达到减小背散射的目的。

关 键 词:散射,MonteCarlo模拟,Langmuir-Blodgett技术,背散射系数,电子束曝光。

MONTE CARLO SIMULATION OF ELECTRON BEAM SCATTERING TRAJECTORIES IN LB RESISTS AND SUBSTRATE AND THE SUPERIORITIES OF LB RESISTS FROM BACK-SCATTERED YIELD
LU WU,GU NING,LU ZUHONG WEI YU.MONTE CARLO SIMULATION OF ELECTRON BEAM SCATTERING TRAJECTORIES IN LB RESISTS AND SUBSTRATE AND THE SUPERIORITIES OF LB RESISTS FROM BACK-SCATTERED YIELD[J].Journal of Applied Sciences,1995(1).
Authors:LU WU  GU NING  LU ZUHONG WEI YU
Institution:chien-shiung wu Laboratory Southeast University
Abstract:
Keywords:scatter  Monte Carlo simulation  LB techniques  back-scattered yield  electron beam exposure    
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号