Si雪崩冷阴极的电子发射特性

采用离子注入和快速退火法可制备Ｓｉ浅ｐ－ｎ结阵列,通过真空清洁处理和铯氧激活后制成阵列式Ｓｉ浅ｐ－ｎ结雪崩冷阴极,其最高电子发射效率为１６％。本文介绍阵列式Ｓｉ雪崩冷阴极的制各方法,给出了Ｓｉ冷阴极的雪崩电子发射特性,讨论了影响发射稳定性的主要因素。