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| 近场光学显微法研究CdS及CdS_xSe_(1-x)一维纳米结构光学传输特性 | |
| 作者单位： | 北京大学物理学院，人工微结构与介观物理国家重点实验室，湖南大学微纳技术研究中心，国家纳米科学中心 |
| 摘 要： | 利用扫描近场光学显微系统,研究了CdS及CdSxSe1-x一维纳米结构的荧光传输特性.实验表明光致荧光可以在直的或者弯曲的一维纳米结构中传输,并实现在纳米结构的端部出射.根据在不同激发光强度下的CdS纳米带端部的三维扫描近场光学像,分析了随着激发光强度增加,纳米带可能出现的受激发射现象.通过近场扫描成像,分析了CdSxSe1-x一维纳米结构光致荧光在结构端部的光出射现象.对于不同组分的CdSxSe1-x一维纳米结构分别测其原位以及传导一定距离之后的光致荧光谱,观测到红移现象.分析表明,红移是由于荧光在纳米结构的传输中的吸收效应造成的.对于CdS及CdSxSe1-x一维纳米结构的光学传输的研究,有助于发展新型功能的纳米器件. |
| 关 键 词： | 近场光学 一维纳米结构 光致荧光 CdS |
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