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应用Auger电子能谱仪研究清除GaAs表面碳沾污的有效方法
作者姓名:黄振武  高怀蓉
作者单位:福州大学物理系 (黄振武),福州大学物理系(高怀蓉)
摘    要:在制作GaAs负亲和势光电阴极中。GaAs表面碳的沾污往往严重地降低其光电产额。为了去 除GaAs表面碳的污染,我们用Auger电子能谱仪对采用不同化学腐蚀处理的GaAs表面进行分析 研究,证明在GaAs表面有意形成一氧化膜并装进超高真空系统中加热到-580℃,对去除GaAs 表面碳污染非常有效。

关 键 词:碳污染  GaAs  俄歇电子能谱
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