| In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP液相外延材料的组分分析 |
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| 引用本文： | 黄玉辉. In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP液相外延材料的组分分析[J]. 东南大学学报(自然科学版), 1987, 0(4) |
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| 作者姓名： | 黄玉辉 |
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| 作者单位： | 南京工学院电子工程系 |
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| 摘 要： | 一引言随着光纤通信技术的发展,发射波长λ=1.3μm光纤损耗小、色散低的光源制造已受到普遍重视。由于外延材料是器件制造的基础,因此如何确定和控制四元材料In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)的组分x、y,乃是制造发射波长λ=1.3μm光源的重要问题。四元材料In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)有二个自由度x、y,且其晶格常数和带隙(波长)是x,y的函数(服从Vegard定律),适当调整化学配比可使InGaAsP四元固溶体的带隙在1.35eV～0.74eV(对应波长λ=0.92～1.68μm)范围内变化,能得到与InP衬底相匹配的完整的外延
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The Composition Analysis of In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)Inp/np LPE Materials |
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| Huang Yuhui. The Composition Analysis of In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)Inp/np LPE Materials[J]. Journal of Southeast University(Natural Science Edition), 1987, 0(4) |
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| Authors: | Huang Yuhui |
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| Affiliation: | Department of Electronic Engineering |
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| Keywords: | liquid phase epitaxy(LPE) composition determination scanning electron microscope (SEM) optical absorption method. |
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