氮在β—SiC（100）表面上吸附性质的初步研究

用电荷自洽的推广休克尔理论和集团模型，研究了氮在β－ＳｉＣ（１００）面上吸附的特性。计算发现，氮主要与硅面发生相互作用而不易吸附于碳面。吸附位置以桥位最稳定，这里，氮原子轨道发生ｓｐ＾２杂化，两个杂化轨道饱和硅厚子的悬挂键。此外还在推广休克尔理论的框架下，计算了氮吸附的（３×１）超结构的电子态密度，计算表明，在原禁带中不存在表面态。