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| a─Ge：H薄膜电学性质的研究 | |
| 引用本文： | 王印月,王辉耀,陈光华.a─Ge：H薄膜电学性质的研究[J].兰州大学学报(自然科学版),1994(3). |
| 作者姓名： | 王印月 王辉耀 陈光华 |
| 作者单位： | 兰州大学物理学系，兰州铁道学院 |
| 摘 要： | 用光吸收谱和电导率测量较全面地研究了射频反应溅射淀积的ａ－Ｇｅ：Ｈ薄膜的电学性质：研究了射频功率和退火温度对ａ－Ｇｅ：Ｈ膜电学性质的影响．所得结果为ａ－Ｇｅ：Ｈ的应用提供了一定的依据。 |
| 关 键 词： | 氢化非晶锗 电导率 光吸收谱 反应溅射 射频功率 |
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