| 纳米硅薄膜中量子点的库仑阻塞效应 |
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| 引用本文： | 余明斌,王燕,刘满仓,马爱华.纳米硅薄膜中量子点的库仑阻塞效应[J].西安理工大学学报,1997(2). |
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| 作者姓名： | 余明斌 王燕 刘满仓 马爱华 |
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| 作者单位： | 西安理工大学理学院自动化与信息工程学院!西安，710048 |
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| 基金项目： | 机械工业部科技基金，西安理工大学博士科研启动基金 |
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| 摘 要： | 用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管，在77K温度下对其I－V特性进行了测量，得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表明，纳米尺寸晶粒构成的量子点具有库仑阻塞效应。
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| 关 键 词： | 纳米硅 量子点 库仑阻塞效应 |
Columb Blockade Effect of Quantum Dots in the nc-Si: H Film |
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| Yu Mingbin,Wang Yan,Liu Mancang, Ma Aihua.Columb Blockade Effect of Quantum Dots in the nc-Si: H Film[J].Journal of Xi'an University of Technology,1997(2). |
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| Authors: | Yu Mingbin Wang Yan Liu Mancang Ma Aihua |
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| Institution: | Xi'an University of Technology. Xi'an 710048 |
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| Abstract: | The quantum dot diode is fabricated by using nc-Si:H film. The I-V characteristic is measured, and resonant tunneling phenomenon is observed. The results show that the quantum dots in nanocrystalline silicon result in Columb blockade effect. |
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| Keywords: | nanocrystalline silicon quantum dot Columb blockade effect |
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