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CMOS数字集成电路I/O单元设计分析
引用本文:刘艳艳,耿卫东,代永平,孙钟林. CMOS数字集成电路I/O单元设计分析[J]. 南开大学学报(自然科学版), 2008, 41(1): 18-22
作者姓名:刘艳艳  耿卫东  代永平  孙钟林
作者单位:南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071
基金项目:天津市自然科学基金 , 天津市科委科研项目
摘    要:按使用时焊点(PAD)排列方式的不同,CMC)S I/O库可分为两大类:直排式(inline)和交错式(staggered).以双向输入/输出单元为例详细介绍了一般CMOS I/O单元的主要组成部分及设计分析.其主要电路组成部分包括输出电平转换,输入/输出驱动以及静电保护,在工作频率要求较高时还应设计电源噪声抑制模块.电路设计配合一定工艺的spice模型进行仿真,根据仿真结果判断设计正确与否并进行优化.

关 键 词:I/O库  双向输入/输出  芯核  焊点  CMOS
文章编号:0465-7942(2008)01-0018-05
收稿时间:2007-05-07
修稿时间:2007-05-07

Design Analysis of CMOS Digital Integrated Circuit I/O Cell
Liu Yanyan,Geng Weidong,Dai Yongping,Sun Zhonglin. Design Analysis of CMOS Digital Integrated Circuit I/O Cell[J]. Acta Scientiarum Naturalium University Nankaiensis, 2008, 41(1): 18-22
Authors:Liu Yanyan  Geng Weidong  Dai Yongping  Sun Zhonglin
Abstract:
Keywords:I/O library    bidirectional    core    PAD   CMOS
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