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| 不同衬底对溅射Pb(Zr_(0.8)Ti_(0.20))O_3薄膜的结构及其性能的影响 | |
| 引用本文： | 蒲朝辉,刘洪,吴家刚,朱基亮,肖定全,朱建国.不同衬底对溅射Pb(Zr_(0.8)Ti_(0.20))O_3薄膜的结构及其性能的影响[J].四川大学学报(自然科学版),2005(Z1). |
| 作者姓名： | 蒲朝辉 刘洪 吴家刚 朱基亮 肖定全 朱建国 |
| 作者单位： | 四川大学材料科学与工程学院 四川大学材料科学与工程学院 成都 |
| 摘 要： | 利用射频磁控溅射法在低阻Si,Si O2/Si以及Pt/Ti/Si O2/Si等不同衬底上制备了Pb(Zr0.8Ti0.2)O3薄膜.利用XRD,SEM等对薄膜的结构性能进行了分析,结果发现不同衬底对溅射制备的PZT薄膜的结构有很大影响.在Pt/Ti/Si O2/Si衬底上制备的PZT薄膜经600℃退火1h后,薄膜表面光滑、无裂纹,XRD分析显示PZT薄膜呈完全钙钛矿结构,测试PZT薄膜的电学性能,表明PZT薄膜具有良好的介电性能. |
| 关 键 词： | PZT薄膜 磁控溅射 衬底 |
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