| 射频溅射功率和掺杂氢对硅氢薄膜结构的影响 |
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| 引用本文： | 吴隽,王亮,祝柏林,范丽霞,从善海.射频溅射功率和掺杂氢对硅氢薄膜结构的影响[J].武汉科技大学学报(自然科学版),2009,32(4). |
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| 作者姓名： | 吴隽 王亮 祝柏林 范丽霞 从善海 |
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| 作者单位： | 武汉科技大学材料与冶金学院,湖北,武汉,430081 |
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| 基金项目： | 湖北省教育厅重大科学技术研究资助项目，武汉科技大学耐火材料与高温陶瓷省部共建国家重点实验室培育基地开放基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用SEM和Raman谱对射频磁控溅射法制备的硅氢薄膜结构进行了研究,讨论了在100～400 W范围内溅射功率和氢气分压对硅氢薄膜结构的影响.结果表明,制备的硅氢薄膜为致密的颗粒膜,添加氢气后,颗粒状的硅氢薄膜出现了粒径更为细小的纳米级小颗粒亚结构;随着氢气分压的增加,其直径先增加后减小,平均直径在氢气分压为50%时达到最大;随着溅射功率的增加,硅氢薄膜的颗粒平均直径增加,当溅射功率达到400 W时,颗粒的平均直径为104 nm.拉曼光谱分析结果显示硅氢薄膜为非晶态.
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| 关 键 词： | 硅氢薄膜 溅射功率 颗粒直径 氢气分压 |
Influence of RF sputtering power and doped hydrogen on the structure of Si:H films |
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| Wu Jun,Wang Liang,Zhu Bailin,Fan Lixia,Cong Shanhai.Influence of RF sputtering power and doped hydrogen on the structure of Si:H films[J].Journal of Wuhan University of Science and Technology(Natural Science Edition),2009,32(4). |
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| Authors: | Wu Jun Wang Liang Zhu Bailin Fan Lixia Cong Shanhai |
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