| 硅和蓝宝石基底上的高Tc薄膜 |
| |
| 引用本文： | 贾米尔．温纳毕[],艾斯法塔赫尔[],哈希米R A[].硅和蓝宝石基底上的高Tc薄膜[J].上海师范大学学报(自然科学版),2005,34(1):29-35. |
| |
| 作者姓名： | 贾米尔．温纳毕[] 艾斯法塔赫尔[] 哈希米R A[] |
| |
| 作者单位： | 古拉姆-伊夏克-克汗工程科学与技术学院,工程科学系,Topi-23460,N.W.F.P.,巴基斯坦;卡拉奇大学,物理系,凝聚态材料实验室,卡拉奇,巴基斯坦;吉纳女子大学,卡拉奇,74600,巴基斯坦 |
| |
| 摘 要： | 使用多层沉积和大块沉积两种技术，在硅和蓝宝石的单晶基底上沉积了Yba2XCu3O7高Tc薄膜,实验显示：在硅基底上得到了转变温度为80K的期待结果．
|
| 关 键 词： | 高Tc薄膜 Yba2XCu3O7 单晶基底 沉积技术 |
High Tc films on silicon and sapphire substrates |
| |
| JAMEEL-Un Nabi,ASIFA Tahir,哈希米·R·A.High Tc films on silicon and sapphire substrates[J].Journal of Shanghai Normal University(Natural Sciences),2005,34(1):29-35. |
| |
| Authors: | JAMEEL-Un Nabi ASIFA Tahir 哈希米·R·A |
| |
| Abstract: | High Tc thin films of YBa2Cu3O7 were deposited on single crystal substrates of silicon and sapphire using both the multilayer and bulk deposition techniques. Silicon substrate showed promising results with an onset transition temperature of 80K. |
| |
| Keywords: | high Tc thin films Yba2Cu3O7 single crystal substrate deposition techniques |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《上海师范大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《上海师范大学学报(自然科学版)》下载免费的PDF全文 |
