| 氢化非晶态硅薄膜的渗氢内耗实验研究 |
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| 引用本文： | 吴平.氢化非晶态硅薄膜的渗氢内耗实验研究[J].北京科技大学学报,1997,19(5):505-509. |
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| 作者姓名： | 吴平 |
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| 作者单位： | 北京科技大学应用科学学院!北京，100083 |
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| 摘 要： | 用簧片振支法研究了ＧＤａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜气氛渗氢后的仙耗，当测量频率为４５７．５Ｈｚ时，在－４６℃处观察到氢致内耗峰，其激活能为０．３０±０．０５ｅＶ，弛豫时间因子为３．５２１０＾－９ｓ。
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| 关 键 词： | 内耗 薄膜 渗氢 非晶硅 氢化非晶硅 半导体 |
Experimental Study of Internal Friction of a-Si:H Films Charged with Hydrogen |
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| Wu Ping.Experimental Study of Internal Friction of a-Si:H Films Charged with Hydrogen[J].Journal of University of Science and Technology Beijing,1997,19(5):505-509. |
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| Authors: | Wu Ping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | internal friction amorphous silicon hydrogen related peak |
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