| 单晶硅力学性质探索 |
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| 引用本文： | 贾有权,Yuri.A.Rodionov,王银燕.单晶硅力学性质探索[J].天津大学学报(自然科学与工程技术版),1987(2). |
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| 作者姓名： | 贾有权 Yuri.A.Rodionov 王银燕 |
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| 作者单位： | 天津大学力学系，苏联明斯克无线电工程学院，天津大学力学系 工程副教授、工学博士 |
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| 摘 要： | 本文的目的在于研究n型和p型硅单晶材料在外荷载作用下的变形性质。将云纹干涉和散斑干涉技术用于硅单晶材料变形性质的测定。试验结果表明,当载荷值小时,其变形量增大,而当载荷增加时,其变形增长量减小,这一现象证实了在硅晶体中存在着弱结合空位层,在外载荷作用下,排出晶体中的空位,致使晶体增密,或者说提高了硅单晶的密度所致。
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| 关 键 词： | 单晶硅 云纹干涉 力学性质 |
THE RESEARCH OF THE MECHANICAL PROPERTIES OF THE MONOCRYSTAL SILICON |
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| Yia Youquan Yuri. A. Rodionov Wang Yinyan.THE RESEARCH OF THE MECHANICAL PROPERTIES OF THE MONOCRYSTAL SILICON[J].Journal of Tianjin University(Science and Technology),1987(2). |
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| Authors: | Yia Youquan Yuri A Rodionov Wang Yinyan |
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| Institution: | Department of Mechanics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Monocrystal Silicon Morie Interferometry Mechanical Properties |
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