| 紧束缚方法计算Ⅲ-Ⅴ族半导体(311)B表面电子结构 |
| |
| 引用本文： | 陈旭方,樊社民,宋友林,贾瑜,姚乾凯.紧束缚方法计算Ⅲ-Ⅴ族半导体(311)B表面电子结构[J].河南教育学院学报(自然科学版),2001,10(3):17-20. |
| |
| 作者姓名： | 陈旭方 樊社民 宋友林 贾瑜 姚乾凯 |
| |
| 作者单位： | 1. 郑州大学物理工程学院,河南,郑州,450052
2. 河南石油勘探局石油勘探开发研究院,河南,南阳,460007
3. 河南教育学院物理系,河南,郑州,450053 |
| |
| 基金项目： | 河南省教委自然科学基金和河南省自然科学基金资助课题(项目批准号:1999140003). |
| |
| 摘 要： | 本文用紧束缚方法计算了Ⅲ-Ⅴ半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构.半导体材料的体电子结构采用考虑次近邻相互作用的sp3模型描述,表面电子结构通过求解形式散射理论的格林函数方程得到.我们给出了四种半导体材料的表面投影能带结构和与它们相对应的各个表面态,讨论了各个表面态沿表面布里渊区高对称线Γ-Y-S-X-Γ的色散关系.通过比较给出了Ⅲ-Ⅴ半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs等(311)B表面共同的表面电子结构特征.
|
| 关 键 词： | 紧束缚计算 高弥勒指数表面 表面态和表面共振态 Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物 |
| 文章编号： | 1007-0834(2001)03-17-04 |
| 修稿时间： | 2001年5月20日 |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
