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| 用DLTS研究硅中注磷缺陷的退火行为 | |
| 引用本文： | 张玉峰,孟军,杜永昌,吴书祥.用DLTS研究硅中注磷缺陷的退火行为[J].北京大学学报(自然科学版),1982(4). |
| 作者姓名： | 张玉峰 孟军 杜永昌 吴书祥 |
| 作者单位： | 北京大学物理系 (张玉峰，孟军，杜永昌)，北京大学物理系(吴书祥) |
| 摘 要： | 用DLTS确定N型硅中注磷产生的电学缺陷,测量了从200℃到700℃热退火和不同辐照时间的CW-CO_2激光退火后电子陷阱的能级,浓度剖面分布和俘获截面,根据缺陷的退火行为并和已报道的数据进行了比较,分析了缺陷的可能构造。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |