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流体静压原位调节单量子点中单双激子能量及精细结构劈裂
引用本文:孙丙西,武雪飞,窦秀明,丁琨,孙宝权. 流体静压原位调节单量子点中单双激子能量及精细结构劈裂[J]. 河北科技师范学院学报, 2014, 28(4)
作者姓名:孙丙西  武雪飞  窦秀明  丁琨  孙宝权
作者单位:1. 内蒙古民族大学物理与电子信息学院,内蒙古通辽,028043
2. 中国科学院半导体研究所
摘    要:在对In As单量子点施加流体静压的实验中,使用了带有压电陶瓷的连续加压装置,在低温连续施加流体静压的情况下,可以调节量子点单激子能量兰移约320 me V。在对不同流体静压下单激子发光的二阶关联函数测量之后,证明流体静压并不影响单激子发光的单光子特性。同时通过流体静压,可以实现量子点双激子态由反束缚态到束缚态的转变,并且给出了这一过程的偏振分辨光谱图。最后观察到单量子点精细结构劈裂随流体静压的增加而增加,而且精细结构劈裂的增加量可以达到约150μe V。

关 键 词:单量子点  流体静压  双激子束缚能  精细结构劈裂

On Situ Tuning Biexciton Antibinding-binding Transition and Fine-structure Splitting Through Hydrostatic Pressure in Single InAs Quantum Dots
SUN Bing-xi,WU Xue-fei,DOU Xiu-ming,DING Kun,SUN Bao-quan. On Situ Tuning Biexciton Antibinding-binding Transition and Fine-structure Splitting Through Hydrostatic Pressure in Single InAs Quantum Dots[J]. Journal of Hebei Normal University of Science & Technology, 2014, 28(4)
Authors:SUN Bing-xi  WU Xue-fei  DOU Xiu-ming  DING Kun  SUN Bao-quan
Abstract:
Keywords:
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