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应用子模型的高密度大规模2.5D转接板内TSV热应力仿真误差分析
作者姓名:马鹤  戴风伟  于大全
作者单位:中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所
基金项目:国家科技重大专项(2011ZX02709-2);中国科学院百人计划项目(No. Y0YB049001)
摘    要:本文着重讨论了ANSYS子模型技术对高密度2.5D转接板内TSV (Through Silicon Via)的热应力仿真误差,分析了TSV直径和高度对仿真误差的影响。研究发现子模型仿真误差会随着TSV直径的增加而大幅升高,严重影响子模型热应力计算结果的准确性和可靠性。为解决此问题,本文提出了几种子模型技术的改进仿真方案,并综合比较了各方案的仿真误差以及计算量和计算时间,指出等效简化方法和“嵌入式”子模型结构能在较少的资源消耗下得到更理想的仿真结果。

关 键 词:ANSYS子模型 TSV转接板 热应力 仿真误差
收稿时间:2013-05-20
修稿时间:2013-06-16
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