| 不同溅射条件对超薄外延氮化铌薄膜超导性能的影响 |
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| 作者姓名： | 汪潇涵 何倩眉 芦政 金韬 郑分刚 熊杰 邹贵付 |
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| 作者单位： | 苏州大学物理与科学技术学院,苏州215006;苏州大学能源学院,苏州215006;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;山东大学(威海)空间科学与物理学院,威海264200 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划（973计划）;国家自然科学基金;江苏高校优势学科建设工程项目;苏州纳米科技协同创新中心;江苏省碳基功能材料与器件重点实验室开放项目 |
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| 摘 要： | 氮化铌(NbN)由于其较高的超导转变温度、较窄的转变宽度以及良好的稳定性一直被广泛地应用于低温超导器件中.因此,生长高质量的超导Nb N薄膜是制备高性能薄膜超导器件的关键及难点.本文主要介绍了利用磁控溅射法在氧化镁(MgO)100基底上生长厚度为5 nm的超薄超导外延NbN薄膜,并系统分析了溅射参数对薄膜性能的影响.实验结果表明,在合适的氮氩比或功率下,高真空、高溅射温度、低工作气压与NbN薄膜超导转变温度成正相关.采用综合物性测量系统(physical property measurement system, PPMS)进行电学分析,所制备的NbN薄膜超导最高转变温度为12.5 K.该工作为进一步研究超薄NbN薄膜的生长提供了理论指导,也为后期在其他基底上制备NbN超导器件提供了基础.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 外延生长 超薄薄膜 超导 氮化铌 |
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