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| 气体放电增强准分子激光溅射反应沉积AlN膜 | |
| 作者姓名： | 汪洪海 郑启光 |
| 摘 要： | 使用氦气放电增强准分子激光溅射反应沉积ＡｌＮ薄膜，讨论了脉冲能度，氮气放电基底温度等因素对膜的性能的影响，实验结果发现，当ＤＥ＝１．０Ｊ．ｃｍ＾－２，Ｐｎ２＝１００×１３３．３３Ｐａ，Ｔａｕｂ＝２００℃，Ｖ＝６５０Ｖ，ｆ＝５Ｈｚ，ｄｓ－Ｔ＝４ｃｍ时，高质量的ＡｌＮ薄膜被成功沉积于Ｓｉ（１００）基片上，Ｘ射线衍射和光谱分析表明，所制备的薄膜具有高取向性的ＡｌＮ（１００）多晶膜，禁带宽度约为６．２ｅＶ |
| 关 键 词： | 气体放电 准分子激光 溅射反应沉积 薄膜 AlN |
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