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| 高取向KTN薄膜的PLD法制备研究 | |
| 引用本文： | 马卫东,张瑞明.高取向KTN薄膜的PLD法制备研究[J].华中理工大学学报,1998,26(7):7-9. |
| 作者姓名： | 马卫东 张瑞明 |
| 作者单位： | 华中理工大学物理系 |
| 摘 要： | 用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法自制了ＫＴＮ陶瓷，以之为靶材，首次在单晶硅上用ＰＬＤ技术沉积了ＫＴＮ薄膜。 |
| 关 键 词： | KNT 薄膜 焦绿石相 钙钛矿相 脉冲激光沉积法 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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