| 低温溶液加工法制备氧化锌薄膜晶体管 |
| |
| 引用本文： | 兰林锋,宋威,史文,彭俊彪.低温溶液加工法制备氧化锌薄膜晶体管[J].华南理工大学学报(自然科学版),2015(3). |
| |
| 作者姓名： | 兰林锋 宋威 史文 彭俊彪 |
| |
| 作者单位： | 华南理工大学 发光材料与器件国家重点实验室,广东 广州,510640 |
| |
| 基金项目： | 国家“863”计划项目(2014AA032702)；国家自然科学基金资助项目(61204087，51173049，61306099)；广州市珠江科技新星项目(2014J2200053)；华南理工大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 为适应柔性有源有矩阵有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,将低温溶液处理的氧化锌作为半导体层、电化学氧化的氧化铝钕作为栅绝缘层,制备了氧化锌薄膜晶体管(TFT).制备氧化锌半导体层所用的前驱体溶液为无碳的Zn(OH)x-(NH3)y(2-x)+水溶液,这种氨络合物溶液制备简单、成本低,并且由于容易形成高活性的氢氧自由基,使得氨-金属之间的分解所需要的活化能较低,生成氧化锌所需的能量较小,可以在180℃的较低温度下获得氧化锌多晶薄膜.所制备的TFT器件的最高迁移率可达0.9 cm2/(V·s).这种低温氧化锌薄膜工艺与室温电化学氧化的栅绝缘层工艺相结合,具有温度低和迁移率高的特点,完全能与柔性衬底兼容,在柔性显示中具有很大的应用前景.
|
| 关 键 词： | 薄膜晶体管 氧化锌 低温溶液加工 |
Fabrication of Zinc Oxide Thin Film Transistors via Low-Temperature Solution Processing |
| |
| Lan Lin-feng,Song Wei,Shi Wen Peng,Jun-biao.Fabrication of Zinc Oxide Thin Film Transistors via Low-Temperature Solution Processing[J].Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition),2015(3). |
| |
| Authors: | Lan Lin-feng Song Wei Shi Wen Peng Jun-biao |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | thin film transistors zinc oxide low-temperature solution processing |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
