| 硅中氢致缺陷和微缺陷氢沉淀的消除及其应用 |
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| 引用本文： | 陈燕生,刘桂荣.硅中氢致缺陷和微缺陷氢沉淀的消除及其应用[J].北京科技大学学报,1996,18(1):50-54. |
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| 作者姓名： | 陈燕生 刘桂荣 |
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| 作者单位： | 北京科技大学物理化学系 |
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| 摘 要： | 氢气氛下区熔拉制的鼓棱无位错硅单晶，原生晶体经化学腐蚀，观察不到缺陷，包括微缺陷。但当块状热处理后，经腐蚀常常观察到尺度ｍｍ数量级的氢致缺陷（ 型缺陷、麻坑）和微缺陷氢沉淀。为了消除这些缺陷，原生单晶需片状供应，片厚应小于１ｍｍ，或中照后的区熔（氢）硅单晶，片状，９４０℃、０．５ｈ退火，均能消除之。在电力电子器件的应用中，管芯等级合格率可保持在８０％以上
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| 关 键 词： | 硅 单晶 氢 沉淀 |
Removal of the Hydrogen Induced Defects Microdefects in FZ(H) Silicon and Application in Thyristors |
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| Chen Yansheng, Liu Guirong, Huaixiang.Removal of the Hydrogen Induced Defects Microdefects in FZ(H) Silicon and Application in Thyristors[J].Journal of University of Science and Technology Beijing,1996,18(1):50-54. |
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| Authors: | Chen Yansheng Liu Guirong Huaixiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | monocrystalline silicon hydrogen precipitation |
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