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| 等离子体淀积薄膜中射频缺陷研究 | |
| 引用本文： | 李丹之,赵冷柱.等离子体淀积薄膜中射频缺陷研究[J].应用科学学报,1990,8(3):207-212. |
| 作者姓名： | 李丹之 赵冷柱 |
| 作者单位： | 上海科学技术大学分部 (李丹之)，上海科学技术大学 (赵冷柱)，上海无线电十七厂(劳凤英) |
| 摘 要： | 根据理论和实验结果的分析,提出了平板式等离子体生长Si_3N_4时存在两种主要射频缺陷;一是固定正电荷中心,主要起源于Si—O和Si—Si断键;另一是负电荷中心,它是Si—H离化所致.这两种缺陷只有在一定条件下退火方可完全消除. |
| 关 键 词： | 等离子体 薄膜 射频缺陷 PECVD |
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