| 硫酸石墨层间化合物的溶出伏安行为研究 |
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| 引用本文： | 陈宗璋,陈剑平.硫酸石墨层间化合物的溶出伏安行为研究[J].湖南大学学报(自然科学版),1995,22(4):38-42. |
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| 作者姓名： | 陈宗璋 陈剑平 |
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| 作者单位： | 湖南大学化学化工系 |
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| 摘 要： | 用溶出伏安法研究硫酸石墨层间化合物Ｈ２ＳＯ４中的慢扫描溶出行为，发现随着中间富集过程的变化其溶出结果呈规律性变化，特别是在１８ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ４中，低电位分段富集时，其溶出峰较同电位一次富集的溶出峰要宽和广，这个发现将导致生产出低残余化合物含量的柔性石墨密封材料。
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| 关 键 词： | 硫酸 石墨 层间化合物 溶出伏安法 人造石墨 |
Quasi Stripping Analysis for Sulfuric Acid-Graphite |
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| Chen Zhongzhang Chen Jianping.Quasi Stripping Analysis for Sulfuric Acid-Graphite[J].Journal of Hunan University(Naturnal Science),1995,22(4):38-42. |
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| Authors: | Chen Zhongzhang Chen Jianping |
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| Abstract: | By the means of quasi-stripping analysis,a study of slow linear sweephas been applied to the H_2SO_4-GIC,prepared by anodic oxidation forgraphite in sulfuricionization. Different stripping results are found on the condition of changing interpre-electrolysis steps,specially in the low potential,the stripping peak is broadened.Thecan make people to product flexible graphite with low residual compoud. |
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| Keywords: | sulfurec acid-graphite quasi stripping analysis flexible graphite |
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