| 准分子激光直接刻蚀InP半导体材料 |
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| 引用本文： | 张玉书,张庆有,任临福,石景龙.准分子激光直接刻蚀InP半导体材料[J].吉林大学学报(理学版),1988(2). |
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| 作者姓名： | 张玉书 张庆有 任临福 石景龙 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学系
(张玉书，张庆有，任临福)，吉林大学电子科学系(石景龙) |
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| 摘 要： | 利用准分子激光的光解剥离即APD(Ablative Photodecomposition)效应,可直接对某些材料实施刻蚀加工,因而在半导体微细加工领域中具有重要意义。适合于准分子激光直接APD刻蚀加工的材料,目前见请报导的仅限于高分子聚合物,和以聚合物或玻璃为基底的金属薄膜。 InP材料是光电集成器件的重要材料,对其微加工技术的研究,目前各国都予以足
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| 关 键 词： | 光解剥离 |
Etching of Semiconductor InP by APD of Direct Eximer Laser |
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| Zhang Yushu,Zhang Qingyou,Ren Linfu and Shi Jinglong.Etching of Semiconductor InP by APD of Direct Eximer Laser[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,1988(2). |
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| Authors: | Zhang Yushu Zhang Qingyou Ren Linfu and Shi Jinglong |
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| Abstract: | Etching of semiconductor InP by the APD of direct eximer laser was achieved successfully for the first. |
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| Keywords: | ablative photodecomposition |
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