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| 对接沟道 NMOS 结构杂质分布的二维数值模拟 | |
| 引用本文： | 徐维锋,刘三清,应建华,曹广军.对接沟道 NMOS 结构杂质分布的二维数值模拟[J].华中科技大学学报(自然科学版),1997(10). |
| 作者姓名： | 徐维锋 刘三清 应建华 曹广军 |
| 作者单位： | 华中理工大学固体电子学系 |
| 摘 要： | 针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给出了不同工艺条件下的模拟结果，并且进行了分析．结果表明，对接沟道ＮＭＯＳ结构能较好地实现ＶＤＭＯＳ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成． |
| 关 键 词： | BJNMOS 杂质分布 工艺模型 数值模拟 |
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