基片温度对RF磁探溅射GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜光谱特 …

利用射频（ＲＦ）磁控共溅射技术，以光学石英玻璃为基片，在不同基片温度下制备了系列ＧａＡｓ／ＳｉＯ２半导体纳米颗粒镶嵌薄膜样品，采用岛津光谱仪，对薄膜在２００至２０００ｎｍ波段范围内透射光谱进行了测量。结果表明，与ＧａＡｓ夫体材料相比，薄膜样品吸收边发生明显的蓝移；且随着基片温度的降低，蓝移量增大，而当基片温度达到３００℃时，光谱中出现了明显的吸收峰，量子限域效应是导致结果的主要原因。