基片温度对RF磁探溅射GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜光谱特 … |
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引用本文: | 丁瑞钦,朱平.基片温度对RF磁探溅射GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜光谱特 …[J].五邑大学学报(自然科学版),1998,12(3):1-3. |
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作者姓名: | 丁瑞钦 朱平 |
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摘 要: | 利用射频(RF)磁控共溅射技术,以光学石英玻璃为基片,在不同基片温度下制备了系列GaAs/SiO2半导体纳米颗粒镶嵌薄膜样品,采用岛津光谱仪,对薄膜在200至2000nm波段范围内透射光谱进行了测量。结果表明,与GaAs夫体材料相比,薄膜样品吸收边发生明显的蓝移;且随着基片温度的降低,蓝移量增大,而当基片温度达到300℃时,光谱中出现了明显的吸收峰,量子限域效应是导致结果的主要原因。
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关 键 词: | RF磁控溅射 砷化镓 二氧化硅 基片温度 薄膜 |
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