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| 新型PB-PSOI器件表面电场和温度分布模型研究 | |
| 引用本文： | 孙伟锋,陈军宁.新型PB-PSOI器件表面电场和温度分布模型研究[J].工程科学,2009,11(11):82-87. |
| 作者姓名： | 孙伟锋 陈军宁 |
| 作者单位： | 东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心，南京210096;安徽大学电子科学与技术学院，合肥230039 |
| 基金项目： | 江苏省自然基金资助项目(BK2008287)；东南大学国家自然基金预言项目（XJ2008312） |
| 摘 要： | 根据泊松方程和热扩散方程提出了新型PB-PSOI 器件漂移区的二维表面电场分布模型和温度分布模型，模型计算结果与Medici模拟结果相一致。根据所提出的模型，重点研究了埋氧化层厚度及长度对漂移区表面电场分布和温度分布的影响，最后给出了PB-PSOI 器件的埋氧化层厚度和长度的优化设计方法。 |
| 关 键 词： | PB-PSOI 表面电场 温度分布 埋氧化层 |
| 修稿时间： | 7/4/2008 12:00:00 AM |
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