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| 反掺锡高纯度砷化镓单晶的制备及热处理 | |
| 引用本文： | 赵乃仁.反掺锡高纯度砷化镓单晶的制备及热处理[J].东北大学学报(自然科学版),1979(2). |
| 作者姓名： | 赵乃仁 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所、沈阳冶炼厂、东北工学院半导体材料物理化学教研室三结合研究组 |
| 摘 要： | 本文报导了应用3T—HB法制备高纯度反掺锡砷化镓单晶的工艺和热处理对其电学性质的影响。实验结果表明,经过适当热处理砷化镓单晶液氮电子迁移率达51800cm~2/V·S。应用Brooks-Herring公式计算出浅施主浓度N_D和总受主浓度N_A。对N_D-N_A,Δμ-N_D作图,有助于看出n型砷化镓结构缺陷模型。根据热处理条件对电学性质的影响,对热处理机理和迁移率刽子手进行了讨论分析。 |
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