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| 一种有源自偏置的Ku波段CMOS低噪声放大器 | |
| 引用本文： | 钱江浩,谢生,毛陆虹,李海鸥.一种有源自偏置的Ku波段CMOS低噪声放大器[J].南开大学学报,2018(4). |
| 作者姓名： | 钱江浩 谢生 毛陆虹 李海鸥 |
| 作者单位： | 天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室;桂林电子科技大学广西精确导航技术和应用重点实验室 |
| 摘 要： | 基于源简并电感共源共栅结构,设计了1种有源自偏置低噪声放大器,既可消除偏置电路功耗,又能克服无源自偏置噪声较高的缺点;另外利用键合线作为高Q值电感元件,进一步降低噪声系数并减小芯片面积.所设计低噪声放大器采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行优化设计并流水制备.仿真结果表明,在12-16GHz频段内,噪声系数NF低于3.2 d B,输入3阶交调点IIP3为1.573 d Bm.研制芯片面积为540μm×360μm,在1.8 V电压下,消耗16 m A电流.结果表明芯片测试实现在12.2-15.5 GHz频段上,输入输出反射性能良好,正向增益S_(21)6 d B,反向隔离度S_(12)-32.5 d B. |
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